ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của ISZ025N06NM6ATMA1 bằng Infineon và ISZ072N06NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
ISZ025N06NM6ATMA1 ISZ025N06NM6ATMA1 - 60V 137A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISZ025N06NM6ATMA1 - 60V 137A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISZ025N06NM6ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số ISZ025N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A 12.7 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Hộp PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C -55C to +175C ( Tj max 175C )
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
Tiêu hao điện năng (TC=25°C) — 50 W

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá