ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ025N06NM6ATMA1 מאת Infineon ו ISZ072N06NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ025N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A 12.7 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W —
מארז PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C -55C to +175C ( Tj max 175C )
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
פיזור הספק (TC=25°C) — 50 W

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר