ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ025N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ072N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ISZ025N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60 V OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A 12.7 A
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C -55C to +175C ( Tj max 175C )
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 50 W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں