K4A4G085WD-BCRC vs K4A4G085WF-BITD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G085WD-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A4G085WF-BITD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung
K4A4G085WD-BCRC ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G085WD-BCRC | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | DRAM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 512M x 8 | 512M x 8 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| ডেটা রেট | 2400 Mb/s (PC2400) | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| প্যাকেজ | FBGA-78 (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -40C to +95C |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |