K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICR তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G045WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB-BICR নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G045WB-BCRC K4A8G085WB-BICR
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
সংগঠন 2G x 4 1G x 8
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
ইন্টারফেস CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0 C to 85 C —
প্যাকেজ 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
ডেটা রেট — 2400 Mbps
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V (VDD/VDDQ)
Number of Banks — 16
পিন সংখ্যা — 78
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Lead-Free — Yes
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট