K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G085WB-BICR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G045WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BICR tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G045WB-BCRC K4A8G085WB-BICR
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 2G x 4 1G x 8
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Arayüz CMOS, differential clock (CK/CK#) —
Refresh Cycles 8192 8192
Maximum Supply Current 211.7 mA —
İşletim Sıcaklığı 0 C to 85 C —
Paket 78-ball FBGA (PBGA78) 78-ball FBGA
Terminals 78 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Veri Hızı — 2400 Mbps
Besleme Gerilimi — 1.2 V (VDD/VDDQ)
Number of Banks — 16
Pin Sayısı — 78
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Lead-Free — Yes
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin