K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G045WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WB-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G045WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 8 Gb —
সংগঠন 2G x 4 —
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
ইন্টারফেস CMOS, differential clock (CK/CK#) Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Refresh Cycles 8192 —
Maximum Supply Current 211.7 mA —
অপারেটিং তাপমাত্রা 0 C to 85 C -40C to +95C
প্যাকেজ 78-ball FBGA (PBGA78) 96-ball FBGA (PBGA96)
Terminals 78 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
মেমরি সাইজ — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
ডেটা রেট — 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Clock Frequency — 1200 MHz (DDR4-2400)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট