K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G045WB-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A8G165WB-BCRC מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 2G x 4 | — |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| ממשק | CMOS, differential clock (CK/CK#) | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to 85 C | -40C to +95C |
| מארז | 78-ball FBGA (PBGA78) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Terminals | 78 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| קצב נתונים | — | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |