K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G045WB-BCRC tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WB-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G045WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 8 Gb —
Organizasyon 2G x 4 —
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Arayüz CMOS, differential clock (CK/CK#) Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Refresh Cycles 8192 —
Maximum Supply Current 211.7 mA —
İşletim Sıcaklığı 0 C to 85 C -40C to +95C
Paket 78-ball FBGA (PBGA78) 96-ball FBGA (PBGA96)
Terminals 78 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
RoHS Durumu Compliant —
Bellek Boyutu — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Veri Hızı — 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Clock Frequency — 1200 MHz (DDR4-2400)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin