K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G045WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G045WB-BCRC | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 2G x 4 | — |
| Speed | 2400 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V | — |
| Process Technology | Samsung B-die | — |
| انٹرفیس | CMOS, differential clock (CK/CK#) | Parallel (DDR4 SDRAM bus) |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Maximum Supply Current | 211.7 mA | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0 C to 85 C | -40C to +95C |
| پیکیج | 78-ball FBGA (PBGA78) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Terminals | 78 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Key DDR4 Features | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset | — |
| DLL Mode | Timing specified for DLL-enabled operation | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| میموری سائز | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2400 Mbps/pin (DDR4-2400) |
| Technology | — | CMOS, B-die 8Gb die |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | CRC function supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Clock Frequency | — | 1200 MHz (DDR4-2400) |