K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G045WB-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A8G165WB-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G045WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 8 Gb —
Tổ chức 2G x 4 —
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Giao diện CMOS, differential clock (CK/CK#) Parallel (DDR4 SDRAM bus)
Refresh Cycles 8192 —
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Nhiệt độ hoạt động 0 C to 85 C -40C to +95C
Hộp 78-ball FBGA (PBGA78) 96-ball FBGA (PBGA96)
Terminals 78 —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
Trạng thái RoHS Compliant —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Tốc độ dữ liệu — 2400 Mbps/pin (DDR4-2400)
Technology — CMOS, B-die 8Gb die
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC / CA Parity — CRC function supported
On-Chip Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Clock Frequency — 1200 MHz (DDR4-2400)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá