K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BIWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WB-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB-BIWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $8.53 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| সংগঠন | 1G x 8 | — |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps | 3200 Mbps |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | 1.2 V |
| Die Revision | B-die | — |
| প্যাকেজ | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 78-FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| বৈশিষ্ট্য | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +85°C |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |