K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BIWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIWE K4A8G085WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BIWE
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $8.53 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
تنظیم 1G x 8 —
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps 3200 Mbps
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
Die Revision B-die —
پیکیج FBGA-78 (78-ball TFBGA) 78-FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Bank Structure 16 banks, 4 bank groups —
Burst Length BL8 —
Termination On-Die Termination (ODT), dynamic ODT —
خصوصیات ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
Speed Bin -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) —
Terminations 78 —
JEDEC-30 Package Code R-PBGA-B78 —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
میموری سائز — 8 Gb
Memory Organization — 1G x 8
Memory Interface — Parallel
Access Time — [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS]
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CL value]
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں