K4A8G085WB-BCTD vs K4A8G085WB-BIWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BCTD توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BCTD | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $8.53 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps | 3200 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| Die Revision | B-die | — |
| بسته‌بندی | FBGA-78 (78-ball TFBGA) | 78-FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Structure | 16 banks, 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT | — |
| ویژگی‌ها | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +85°C |
| Speed Bin | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) | — |
| Terminations | 78 | — |
| JEDEC-30 Package Code | R-PBGA-B78 | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| بدون هالوژن | — | Yes |