K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCPB তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G165WB-BCPB নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCPB
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
স্টক স্ট্যাটাস In Stock —
ইউনিট মূল্য (USD) $6.25 —
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
ডেটা রেট 3200 Mbps/pin 2133 Mbps
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
Access Time 19 ns —
ইন্টারফেস Parallel DDR4 (synchronous, double data rate)
প্যাকেজ 96FBGA 96FBGA (TFBGA)
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +85C 0C to +85C
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Technology DDR4 SDRAM B-die —
Prefetch 8n —
Refresh Self-refresh supported [DATA_NEEDED: refresh specification]
Termination On-die termination (ODT) —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] Compliant (per Lisleapex listing)
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Gb
সংগঠন — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — Rectangular, bottom terminal position
Die Generation — 8Gb B-die
Bank Groups — DDR4 bank-group architecture

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট