K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCPB
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $6.25 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps/pin 2133 Mbps
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
Access Time 19 ns —
انٹرفیس Parallel DDR4 (synchronous, double data rate)
پیکیج 96FBGA 96FBGA (TFBGA)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C 0C to +85C
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Technology DDR4 SDRAM B-die —
Prefetch 8n —
Refresh Self-refresh supported [DATA_NEEDED: refresh specification]
Termination On-die termination (ODT) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] Compliant (per Lisleapex listing)
MSL لیول [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Gb
تنظیم — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — Rectangular, bottom terminal position
Die Generation — 8Gb B-die
Bank Groups — DDR4 bank-group architecture

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں