K4A8G165WB-BCWE vs K4A8G165WB-BCPB Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WB-BCWE tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WB-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCPB
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $6,25 —
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 8 Gb —
Memory Organization 512M x 16 —
Veri Hızı 3200 Mbps/pin 2133 Mbps
Besleme Gerilimi 1.2 V —
Access Time 19 ns —
Arayüz Parallel DDR4 (synchronous, double data rate)
Paket 96FBGA 96FBGA (TFBGA)
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C 0C to +85C
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM (volatile) —
Technology DDR4 SDRAM B-die —
Prefetch 8n —
Refresh Self-refresh supported [DATA_NEEDED: refresh specification]
Termination On-die termination (ODT) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] Compliant (per Lisleapex listing)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Gb
Organizasyon — 512M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — Rectangular, bottom terminal position
Die Generation — 8Gb B-die
Bank Groups — DDR4 bank-group architecture

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin