K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYH9 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646D-BYK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4B4G1646D-BYH9 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| ডেটা রেট | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to 85°C | 0 ~ 85 °C |
| CAS লেটেন্সি | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |