K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYH9 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BYK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646D-BYH9 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Rate ng Data | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 85°C | 0 ~ 85 °C |
| Latensya ng CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |