K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYH9 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BYH9 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 85°C | 0 ~ 85 °C |
| CAS لیٹنسی | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |