K4B4G1646D-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646D-BYK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও MT41K256M16HA-125 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4B4G1646D-BYK0 MT41K256M16HA-125
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $6.36
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
সংগঠন 256M x 16 —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V
ডেটা রেট 1600 Mbps (PC3-12800) —
প্যাকেজ 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
অপারেটিং তাপমাত্রা 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS লেটেন্সি Programmable (e.g., 11, 10, 9) 11
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
On-Die Termination Yes —
Lead-Free Yes Yes
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
RoHS Compliant Yes —
পিনের সংখ্যা 96 96
Die Revision D-die —
মেমরি সাইজ — 4Gbit (256M x 16)
ডেটা বাস প্রস্থ — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট