K4B4G1646D-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BYK0 tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BYK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $6,36 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Veri Hızı | 1600 Mbps (PC3-12800) | — |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Gecikme | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | 11 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Pin Sayısı | 96 | 96 |
| Die Revision | D-die | — |
| Bellek Boyutu | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |