K4B4G1646D-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 比較
詳細並排比較 K4B4G1646D-BYK0 由 Samsung Electronics 與 MT41K256M16HA-125 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | K4B4G1646D-BYK0 | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | — | $6.36 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gbit | — |
| 組織 | 256M x 16 | — |
| 供應電壓 | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| 資料速率 | 1600 Mbps (PC3-12800) | — |
| 封裝 | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| 工作溫度 | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS 延遲 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | 11 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 無鹵素 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| 腳位數 | 96 | 96 |
| Die Revision | D-die | — |
| 記憶體容量 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| 資料匯流排寬度 | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| 安裝類型 | — | Surface Mount |
| RoHS 狀態 | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |