K4B4G1646D-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4B4G1646D-BYK0 disebabkan oleh Samsung Electronics dan MT41K256M16HA-125 disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4B4G1646D-BYK0 MT41K256M16HA-125
Merek Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $6.36
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
Organisasi 256M x 16 —
Tegangan Pemberi Arus 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V
Kadar Data 1600 Mbps (PC3-12800) —
Kemasan 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Suhu Operasi 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latensi CAS Programmable (e.g., 11, 10, 9) 11
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
On-Die Termination Yes —
Lead-Free Yes Yes
Boson Bebas Yes —
RoHS Compliant Yes —
Bilangan Pin 96 96
Die Revision D-die —
Saiz Ingatan — 4Gbit (256M x 16)
Lebar Bus Data — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Jenis Pemasangan — Surface Mount
Status RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga