K4B4G1646D-BYK0 vs MT41K256M16HA-125 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BYK0 توسط Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ فعال
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4B4G1646D-BYK0 MT41K256M16HA-125
برند Samsung Electronics Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $6.36
نوع حافظه DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
سازمان 256M x 16 —
ولتاژ تغذیه 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V
نرخ داده 1600 Mbps (PC3-12800) —
بسته‌بندی 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
دمای کاری 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
تأخیر CAS Programmable (e.g., 11, 10, 9) 11
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
On-Die Termination Yes —
Lead-Free Yes Yes
بدون هالوژن Yes —
RoHS Compliant Yes —
تعداد پین‌ها 96 96
Die Revision D-die —
اندازه حافظه — 4Gbit (256M x 16)
عرض گذرگاه داده — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
نوع نصب — Surface Mount
وضعیت RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت