K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYK0 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4B4G1646E-BYMATCV নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4B4G1646E-BYK0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| ডেটা রেট | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| পিনের সংখ্যা | 96 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| CAS লেটেন্সি | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| সংগঠন | — | 256M x 16 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to +95°C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |