K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646E-BYMATCV מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646E-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| מספר פינים | 96 | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| השהיית CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ארגון | — | 256M x 16 |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |