K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYK0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYMATCV بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646E-BYK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| معدل البيانات | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| زمن الوصول CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |