K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYK0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646E-BYMATCV द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BYK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| CAS लेटेंसी | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |