K6F2016U4E-EF70T vs K6F3216U6M-EF70T তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6F2016U4E-EF70T নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics ও K6F3216U6M-EF70T নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung
K6F2016U4E-EF70T ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K6F2016U4E-EF70T | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| মেমরি সাইজ | 2 Mbit | 32 Mbit |
| সংগঠন | 128K x 16 | 2M x 16 |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel |
| Access Time (tAA) | 70 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.3 V | — |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| প্যাকেজ | 48-TFBGA (6 x 7) | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Active Supply Current (ICC1) | [DATA_NEEDED: ICC1] | — |
| Standby Current (ICC2) | [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Refresh Requirement | None (static RAM) | None (static memory) |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | NO (per third-party listing) |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |