K6F2016U4E-EF70T vs K6F3216U6M-EF70T موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6F2016U4E-EF70T بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور K6F3216U6M-EF70T بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T ✓ فعال
Samsung Electronics
K6F3216U6M-EF70T K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6F2016U4E-EF70T K6F3216U6M-EF70T
برانڈ Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
میموری سائز 2 Mbit 32 Mbit
تنظیم 128K x 16 2M x 16
انٹرفیس Parallel Parallel
Access Time (tAA) 70 ns —
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.3 V —
Technology Full CMOS Full CMOS Static RAM
پیکیج 48-TFBGA (6 x 7) 55-TFBGA (7.5 x 12 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Active Supply Current (ICC1) [DATA_NEEDED: ICC1] —
Standby Current (ICC2) [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] —
Control Signals CE, OE, WE —
Refresh Requirement None (static RAM) None (static memory)
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] NO (per third-party listing)
نمی حساسیت کی سطح (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level] —
سپلائی وولٹیج — 3 V
Access Time — 55 ns
Speed Grade — -EF70 (55 ns)
Standard Pack Qty — 2400
Memory Composition — Volatile SRAM

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں