K6F2016U4E-EF70T vs K6F3216U6M-EF70T तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6F2016U4E-EF70T द्वारा Samsung Electro-Mechanics और K6F3216U6M-EF70T द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung
K6F2016U4E-EF70T ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6F2016U4E-EF70T | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| मेमोरी आकार | 2 Mbit | 32 Mbit |
| संगठन | 128K x 16 | 2M x 16 |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Access Time (tAA) | 70 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.3 V | — |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| पैकेज | 48-TFBGA (6 x 7) | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Active Supply Current (ICC1) | [DATA_NEEDED: ICC1] | — |
| Standby Current (ICC2) | [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Refresh Requirement | None (static RAM) | None (static memory) |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | NO (per third-party listing) |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |