K6F3216U6M-EF70T vs K6F2016U4D-FF70T00 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6F3216U6M-EF70T নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K6F2016U4D-FF70T00 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung
K6F2016U4D-FF70T00 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K6F3216U6M-EF70T | K6F2016U4D-FF70T00 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| মেমরি সাইজ | 32 Mbit | 2 Mbit |
| সংগঠন | 2M x 16 | 128K x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Full CMOS |
| প্যাকেজ | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | Industrial temperature range |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | NO (per third-party listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | — |
| Access Time (tAA) | — | 70 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 2.7 V to 3.3 V |
| Write Cycle Time (tWP) | — | 50 ns |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |
| Power Feature | — | Super low power and low voltage |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |