K6F3216U6M-EF70T vs K6F2016U4D-FF70T00 So sánh
So sánh chi tiết song song của K6F3216U6M-EF70T bằng Samsung Electronics và K6F2016U4D-FF70T00 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung
K6F3216U6M-EF70T ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung
K6F2016U4D-FF70T00 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K6F3216U6M-EF70T | K6F2016U4D-FF70T00 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 32 Mbit | 2 Mbit |
| Tổ chức | 2M x 16 | 128K x 16 |
| Điện áp cung cấp | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| Giao diện | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Full CMOS |
| Hộp | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | Industrial temperature range |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| Trạng thái RoHS | NO (per third-party listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | — |
| Access Time (tAA) | — | 70 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 2.7 V to 3.3 V |
| Write Cycle Time (tWP) | — | 50 ns |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |
| Power Feature | — | Super low power and low voltage |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |