K6F3216U6M-EF70T vs K6F2016U4D-FF70T00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6F3216U6M-EF70T द्वारा Samsung Electronics और K6F2016U4D-FF70T00 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung
K6F2016U4D-FF70T00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6F3216U6M-EF70T | K6F2016U4D-FF70T00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| मेमोरी आकार | 32 Mbit | 2 Mbit |
| संगठन | 2M x 16 | 128K x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 3 V | — |
| Access Time | 55 ns | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS Static RAM | Full CMOS |
| पैकेज | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) | 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | Industrial temperature range |
| Speed Grade | -EF70 (55 ns) | — |
| Standard Pack Qty | 2400 | — |
| RoHS स्थिति | NO (per third-party listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Composition | Volatile SRAM | — |
| Refresh Requirement | None (static memory) | — |
| Access Time (tAA) | — | 70 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 2.7 V to 3.3 V |
| Write Cycle Time (tWP) | — | 50 ns |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |
| Power Feature | — | Super low power and low voltage |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |