K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-BF70T তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6X0808C1D-GF55T00 নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics ও K6X0808C1D-BF70T নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-BF70T
ব্র্যান্ড Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs DRAM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
মেমরি সাইজ 256 Kbit 256 Kbit
সংগঠন 32K x 8 —
Access Time 55 ns 70 ns
ইন্টারফেস Parallel —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Technology CMOS —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] -40C to +85C (TA)
সাপ্লাই ভোল্টেজ [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Data Retention Low data retention voltage supported —
প্যাকেজ 28-SOP (450 mil) 28-SOP
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Packaging Variant Tape & Reel (T00 suffix) —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
ডেটা বাস প্রস্থ — 8 bit (I/O0-I/O7)
Control Signals — CE, OE, WE
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট