K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-BF70T तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X0808C1D-GF55T00 द्वारा Samsung Electro-Mechanics और K6X0808C1D-BF70T द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-BF70T
ब्रांड Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs DRAM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
मेमोरी आकार 256 Kbit 256 Kbit
संगठन 32K x 8 —
Access Time 55 ns 70 ns
इंटरफ़ेस Parallel —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Technology CMOS —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] -40C to +85C (TA)
सप्लाई वोल्टेज [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Data Retention Low data retention voltage supported —
पैकेज 28-SOP (450 mil) 28-SOP
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Variant Tape & Reel (T00 suffix) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
डेटा बस चौड़ाई — 8 bit (I/O0-I/O7)
Control Signals — CE, OE, WE
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध