K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-BF70T موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-GF55T00 بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور K6X0808C1D-BF70T بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ فعال
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-BF70T
برانڈ Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
میموری سائز 256 Kbit 256 Kbit
تنظیم 32K x 8 —
Access Time 55 ns 70 ns
انٹرفیس Parallel —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Technology CMOS —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] -40C to +85C (TA)
سپلائی وولٹیج [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Data Retention Low data retention voltage supported —
پیکیج 28-SOP (450 mil) 28-SOP
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Variant Tape & Reel (T00 suffix) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
ڈیٹا بس چوڑائی — 8 bit (I/O0-I/O7)
Control Signals — CE, OE, WE
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں