K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-BF70T مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K6X0808C1D-GF55T00 توسط Samsung Electro-Mechanics و K6X0808C1D-BF70T توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ فعال
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-BF70T
برند Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs DRAM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
اندازه حافظه 256 Kbit 256 Kbit
سازمان 32K x 8 —
Access Time 55 ns 70 ns
رابط Parallel —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Technology CMOS —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] -40C to +85C (TA)
ولتاژ تغذیه [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Data Retention Low data retention voltage supported —
بسته‌بندی 28-SOP (450 mil) 28-SOP
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Variant Tape & Reel (T00 suffix) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
عرض گذرگاه داده — 8 bit (I/O0-I/O7)
Control Signals — CE, OE, WE
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت