K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-BF70T So sánh
So sánh chi tiết song song của K6X0808C1D-GF55T00 bằng Samsung Electro-Mechanics và K6X0808C1D-BF70T bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung
K6X0808C1D-GF55T00 ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-BF70T ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K6X0808C1D-GF55T00 | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | DRAM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Kích thước bộ nhớ | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Tổ chức | 32K x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Giao diện | Parallel | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Technology | CMOS | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] | -40C to +85C (TA) |
| Điện áp cung cấp | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Data Retention | Low data retention voltage supported | — |
| Hộp | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Variant | Tape & Reel (T00 suffix) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Process Technology | — | CMOS |
| Address Bus Width | — | 15 bit (A0-A14) |
| Bề rộng đường dữ liệu | — | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |