M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F800FB55M3E2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F800FT55N3E2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29F800FB55M3E2 M29F800FT55N3E2
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits
সংগঠন 512K x 16 / 1M x 8 —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Bottom boot block —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification AEC-Q100 (Auto Grade 125C) —
প্যাকেজ 44-pin SO (SOP) 48-TSOP I
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Program / Erase Embedded byte/word program and erase controller —
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Standard Packing Tray —
Family M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash —
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 5 V
ইন্টারফেস — Parallel
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট