M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 So sánh
So sánh chi tiết song song của M29F800FB55M3E2 bằng Micron Technology và M29F800FT55N3E2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55N3E2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | M29F800FB55M3E2 | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits |
| Tổ chức | 512K x 16 / 1M x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (Auto Grade 125C) | — |
| Hộp | 44-pin SO (SOP) | 48-TSOP I |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Program / Erase | Embedded byte/word program and erase controller | — |
| Number of Words | 512 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) |
| Standard Packing | Tray | — |
| Family | M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash | — |
| Memory Organization | — | 512K x 16 (8 Mbit) |
| Điện áp cung cấp | — | 5 V |
| Giao diện | — | Parallel |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Word/Byte Configuration | — | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) |
| Hardware Reset / Power-Down | — | RP# pin |
| Embedded Program/Erase Controller | — | Yes (byte/word program, block erase) |
| Program/Erase Endurance | — | 100,000 cycles per block (typical for family) |
| Data Retention | — | >20 years (typical for family) |
| Ready/Busy Output | — | Yes |