M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FB55M3E2 द्वारा Micron Technology और M29F800FT55N3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55N3E2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F800FB55M3E2 | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit (8389 kbits) | 8389 kbits |
| संगठन | 512K x 16 / 1M x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (Auto Grade 125C) | — |
| पैकेज | 44-pin SO (SOP) | 48-TSOP I |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Program / Erase | Embedded byte/word program and erase controller | — |
| Number of Words | 512 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) |
| Standard Packing | Tray | — |
| Family | M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash | — |
| Memory Organization | — | 512K x 16 (8 Mbit) |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 5 V |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Word/Byte Configuration | — | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) |
| Hardware Reset / Power-Down | — | RP# pin |
| Embedded Program/Erase Controller | — | Yes (byte/word program, block erase) |
| Program/Erase Endurance | — | 100,000 cycles per block (typical for family) |
| Data Retention | — | >20 years (typical for family) |
| Ready/Busy Output | — | Yes |