M29F800FB55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FB55M3E2 توسط Micron Technology و M29F800FT55N3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F800FB55M3E2 M29F800FT55N3E2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 8 Mbit (8389 kbits) 8389 kbits
سازمان 512K x 16 / 1M x 8 —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Bottom boot block —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification AEC-Q100 (Auto Grade 125C) —
بسته‌بندی 44-pin SO (SOP) 48-TSOP I
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Program / Erase Embedded byte/word program and erase controller —
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
وضعیت RoHS Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Standard Packing Tray —
Family M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash —
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
ولتاژ تغذیه — 5 V
رابط — Parallel
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت