MT40A2G8AG-062E vs K4AAG085WM-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A2G8AG-062E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4AAG085WM-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron
MT40A2G8AG-062E ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A2G8AG-062E | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | DRAM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| সংগঠন | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Speed | DDR4-3200 (3200 MT/s) | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | 0.625 ns (tCK) | — |
| CAS লেটেন্সি | CL22 (DDR4-3200) | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| I/O Interface | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Number of Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Operating Temperature (AUT grade) | -40C to +95C (per Micron grade table) | — |
| প্যাকেজ | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) | 78FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Die Revision | AG (current generation) | — |
| ডেটা রেট | — | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0C to +85C |
| ইন্টারফেস | — | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |