MT40A512M16JY-083E vs K4A8G165WG-BCWE তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16JY-083E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4A8G165WG-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A512M16JY-083E K4A8G165WG-BCWE
ব্র্যান্ড Micron Technology Samsung Electronics
ক্যাটাগরি DRAM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $35.98
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM (Automotive) DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
Density 8 Gbit —
সংগঠন 512M x 16 —
Clock Frequency 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) —
ডেটা রেট 2400 MT/s (speed grade -083E) —
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
I/O Interface 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die internal adjustable generation —
Refresh Structure 8192-cycle refresh —
Refresh Window 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C —
প্যাকেজ 96-FBGA (8 x 14 mm) FBGA-96 (BGA-96), surface mount
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
ECCN EAR99 —
হ্যালোজেন মুক্ত Compliant —
Country of Origin China —
মেমরি সাইজ — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
ইন্টারফেস — Parallel
Max Data Rate — 3200 Mbps/pin
Clock Cycle Time — 19 ns
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 1.2 V
অপারেটিং তাপমাত্রা — 0C to +85C (commercial)
Refresh — Auto/self refresh per DDR4 standard
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Manufacturer — Samsung Semiconductor, Inc.
Product Status — Active
Typical Standby Current — 20 mA (per LCSC listing)
Die Generation — Samsung B-die, 8Gb DDR4 x16

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট