MT40A512M16LY-075:E vs K4A8G165WB-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16LY-075:E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4A8G165WB-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A512M16LY-075:E | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $6.25 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gb |
| ডেটা রেট | 2666 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| CAS লেটেন্সি | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96FBGA |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Access Time | — | 19 ns |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |