NT5AD512M16B4-HR vs MT40A512M16TB-062E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5AD512M16B4-HR নির্দিষ্ট Nanya Technology ও MT40A512M16TB-062E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Nanya Technology
NT5AD512M16B4-HR NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার NT5AD512M16B4-HR MT40A512M16TB-062E
ব্র্যান্ড Nanya Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $60.00
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb —
সংগঠন 512M x 16 512M x 16
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2V —
প্যাকেজ 96-ball TFBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Temperature Range 0°C to +95°C —
ডেটা রেট 3200 Mbps 1600 MHz (DDR4-3200)
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
মেমরি সাইজ — 8 Gbit
Supply Voltage - VDD/VDDQ — 1.2V ±60mV
Supply Voltage - VPP — 2.5V, -125mV, +250mV
tRCD — 19 ns
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT)
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
ইন্টারফেস — Parallel
বৈশিষ্ট্য — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
REACH Status — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট