NT5CC256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5CC256M16CP-DI নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DI NT5CC256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DI ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার NT5CC256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
ব্র্যান্ড Nanya Technology Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $14.32
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
সংগঠন 256M x 16 256M x 16
Total Density 4Gb —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade DDR3-1600 (CL11) —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Internal Banks 8 —
প্যাকেজ VFBGA-96 FBGA-96
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] 0°C to +95°C
ইন্টারফেস Differential clock (CK, CK#) —
Burst Length 8, 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes (programmable) —
RoHS Compliant Compliant
Process Technology 70nm —
Density — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
ডেটা রেট — 1866 Mbps/pin
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
CAS লেটেন্সি — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
পিনের সংখ্যা — 96

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট