NT5CC256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5CC256M16CP-DI bằng Nanya Technology và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DI NT5CC256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DI ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5CC256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
Thương hiệu Nanya Technology Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $14,32
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Total Density 4Gb —
Điện áp cung cấp 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade DDR3-1600 (CL11) —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Internal Banks 8 —
Hộp VFBGA-96 FBGA-96
Nhiệt độ hoạt động 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] 0°C to +95°C
Giao diện Differential clock (CK, CK#) —
Burst Length 8, 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes (programmable) —
RoHS Compliant Compliant
Process Technology 70nm —
Density — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
Tốc độ dữ liệu — 1866 Mbps/pin
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Số lượng chân — 96

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá